如何區(qū)分場效應(yīng)管與IGBT管?

作者：黑金剛電容    發(fā)布時間：2023-09-25 21:11:27  訪問量：4709  來源：超級電容組

如何區(qū)分場效應(yīng)管與IGBT管?

兩者是不同的管型，一般此類功率器件多數(shù)是并聯(lián)來提高工作電流，而串聯(lián)只能升高工作電壓，而要提高工作電壓可以選擇耐壓較大的管子，不必用管子來串聯(lián)提高，沒有必要!至于是否能加管子那要看電路的功率余量(電源、輸出、驅(qū)動)一般是不行的。單管IGBT屬于絕緣門極晶體管，第四代逆變技術(shù)。

相對MOS管皮實耐用，MOS場效應(yīng)管，屬于第三代逆變技術(shù)。多個MOS管串聯(lián)，其中一個炸管其他全炸。效應(yīng)晶體管(FieldEffectTransistor縮寫(FET))簡稱場效應(yīng)管。主要有兩種類型(junctionFET—JFET)和金屬-氧化物半導體場效應(yīng)管(metal-oxidesemiconductorFET，簡稱MOS-FET)。

由多數(shù)載流子參與導電，也稱為單極型晶體管。它屬于電壓控制型半導體器件。具有輸入電阻高(107～1015Ω)、噪聲小、功耗低、動態(tài)范圍大、易于集成、沒有二次擊穿現(xiàn)象、安全工作區(qū)域?qū)挼葍?yōu)點，現(xiàn)已成為雙極型晶體管和功率晶體管的強大競爭者。

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